制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

BSC028N06NSATMA1

描述 

MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 OptiMOS™

其它名称 BSC028N06NSATMA1TR

BSC028N06NSTR

BSC028N06NSTR-ND

SP000917416

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.8V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 37nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2700pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），83W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TDSON-8-7

封装/外壳 8-PowerTDFN

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