制造商 

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FDS4435BZ

描述 

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 PowerTrench®

其它名称 FDS4435BZTR

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 20 毫欧 @ 8.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 40nC @ 10V

Vgs（值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1845pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SOIC

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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