制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SIA466EDJ-T1-GE3

描述 

MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SIA466EDJ-T1-GE3TR

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.5 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 20nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 620pF @ 1V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.5W（Ta），19.2W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单

封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6

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