制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IPB200N25N3GATMA1

描述 

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

一般信息

数据列表 IPx200N25N3 G;

标准包装   1,000

包装   标准卷带 

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 OptiMOS™

其它名称 IPB200N25N3 G

IPB200N25N3 G-ND

IPB200N25N3 GTR

IPB200N25N3 GTR-ND

IPB200N25N3G

IPB200N25N3GATMA1TR

SP000677896

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 20 毫欧 @ 64A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 270μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 86nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7100pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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