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技术资料 / Data

BSS806NH6327XTSA1 infineon 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工程一对一服务

2020/3/11 10:22:18 BSS806NH6327XTSA1

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSS806NH6327XTSA1
描述

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 BSS806N H6327 
BSS806N H6327-ND 
BSS806N H6327TR-ND 
BSS806NH6327 
BSS806NH6327XTSA1TR 
SP000928952 
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 1.8V,2.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 750mV @ 11μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 1.7nC @ 2.5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 529pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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