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技术资料 / Data

IPP037N08N3GXKSA1 infineon 分立半导体 配单 FAE技术支持

2020/1/3 10:28:55 IPP037N08N3GXKSA1

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IPP037N08N3GXKSA1

描述

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 OptiMOS™

其它名称 IPP037N08N3 G

IPP037N08N3 G-ND

IPP037N08N3G

SP000680776

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3.75 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3.5V @ 155μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 117nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 8110pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散(值) 214W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3

封装/外壳 TO-220-3


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