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技术资料 / Data

STP3NK60Z ST 分立半导体 工程一对一技术指导

2019/12/28 14:52:34 STP3NK60Z

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STP3NK60Z

描述

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 SuperMESH™

其它名称 497-7525-5

STP3NK60Z-ND

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 11.8nC @ 10V

Vgs(值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 311pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 45W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3


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