制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI4925DDY-T1-GE3

描述

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®

其它名称 SI4925DDY-T1-GE3-ND

SI4925DDY-T1-GE3TR

SI4925DDYT1GE3

规格

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 29 毫欧 @ 7.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1350pF @ 15V

功率 - 值 5W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

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