banner

产品搜索

库存索引 : a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 1 2 3 4 5 6 7 8 9

产品分类 / Products

您现在所在位置:首页 > 技术资料 > SI2319DS-T1-GE3 vishay 分立半导体产品 原厂代理

技术资料 / Data

SI2319DS-T1-GE3 vishay 分立半导体产品 原厂代理

2019/10/23 11:58:28 SI2319DS-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI2319DS-T1-GE3

描述

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 82 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 17nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 470pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散(值) 750mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


安富利(深圳)实业发展有限公司是一家大型代理渠道商,具有丰富的电子行业经验,以其独特的经营方式,优质的服务,不断进行业务创新,提高销售业绩,成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力!