制造商

Texas Instruments

制造商零件编号

TPS1100DR

描述

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 15V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.7V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 5.45nC @ 10V

Vgs（值） +2V，-15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 791mW（Ta）

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOIC

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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