工程一对一技术指导 PMV117EN,215 NXP 分立半导体产品
制造商
NXP USA Inc.
制造商零件编号
PMV117EN,215
描述
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchMOS™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 117 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 4.6nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 147pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 830mW（Tc）
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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