制造商

NXP USA Inc.

制造商零件编号

PMF290XN,115

描述

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchMOS™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 350 毫欧 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） .72nC @ 4.5V

Vgs（值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 34pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 560mW（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-323-3

封装/外壳 SC-70，SOT-323

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