制造商

Rohm Semiconductor

制造商零件编号

VT6M1T2CR

描述

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 -

规格

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7.1pF @ 10V

功率 - 值 120mW

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装 VMT6

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