制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号

HN3C10FUTE85LF

描述

RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频

系列 -

规格

晶体管类型 2 NPN（双）

电压 - 集射极击穿（值） 12V

频率 - 跃迁 7GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.1dB @ 1GHz

增益 11.5dB

功率 - 值 200mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 80 @ 20mA，10V

电流 - 集电极（Ic）（值） 80mA

工作温度 -

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装 US6

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